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PEMH11,115 PDF预览

PEMH11,115

更新时间： 2024-01-29 02:22:17
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 584K
描述
PEMH11; PUMH11 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ SOT 6-Pin

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PEMH11,115 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：0.87其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：230 MHzBase Number Matches：1

PEMH11,115 数据手册

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PEMH11; PUMH11  
NPN/NPN resistor-equipped transistors;  
R1 = 10 k, R2 = 10 k  
Rev. 6 — 29 November 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN/NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)  
plastic packages.  
Table 1.  
Product overview  
Type number Package  
NXP  
NPN/PNP  
PNP/PNP  
Package  
complement complement configuration  
JEITA  
-
PEMH11  
PUMH11  
SOT666  
SOT363  
PEMD3  
PUMD3  
PEMB11  
PUMB11  
ultra small and flat lead  
very small  
SC-88  
1.2 Features and benefits  
100 mA output current capability  
Built-in bias resistors  
Reduces component count  
Reduces pick and place costs  
AEC-Q101 qualified  
Simplifies circuit design  
1.3 Applications  
Low current peripheral driver  
Control of IC inputs  
Replaces general-purpose transistors in digital applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per transistor  
VCEO collector-emitter voltage  
IO  
open base  
-
-
50  
V
output current  
-
-
100  
13  
mA  
k  
R1  
bias resistor 1 (input)  
bias resistor ratio  
7
10  
1
R2/R1  
0.8  
1.2  
 
 
 
 
 
1234567...14

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PEMH11,115 替代型号

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