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PEMH19

更新时间： 2024-02-25 21:11:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 239K
描述
NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = open

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PEMH19 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC PACKAGE-6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.38其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PEMH19 数据手册

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PEMH19; PUMH19  
NPN/NPN resistor-equipped transistors;  
R1 = 22 kΩ, R2 = open  
Rev. 03 — 15 November 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN/NPN Resistor-Equipped Transistors (RET).  
Table 1. Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
NPN/PNP  
complement  
PNP/PNP  
complement  
JEITA  
-
PEMH19  
PUMH19  
SOT666  
SOT363  
PEMD19  
PUMD19  
PEMB19  
PUMB19  
SC-88  
1.2 Features  
„ Built-in bias resistor  
„ Simplifies circuit design  
„ Reduces component count  
„ Reduces pick and place costs  
1.3 Applications  
„ Low current peripheral driver  
„ Control of IC inputs  
„ Replaces general-purpose transistors in digital applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
VCEO  
IO  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
50  
Unit  
V
collector-emitter voltage  
output current (DC)  
bias resistor 1 (input)  
open base  
-
-
-
-
100  
28.6  
mA  
kΩ  
R1  
15.4  
22  
12345678

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PEMH19 替代型号

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