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PEMH19

更新时间： 2023-09-03 20:33:59

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	204K
描述
50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = openProduction

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PEMH19 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PEMH19 数据手册

PEMH19

50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped transistor;

R1 = 22 kΩ, R2 = open

29 December 2022

Product data sheet

1. General description

NPN/NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Built-in bias resistors

•

Simplified circuit design

Reduces component count

Reduces pick and place costs

3. Applications

•

Low current peripheral driver

Controlling IC inputs

Replacement of general purpose transistors in digital applications

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_O

output current

100

kΩ

bias resistor 1 (input)

[1]

15.4

28.6

[1] See section "Test information" for resistor calculation and test conditions.

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PEMH19,115	NXP	获取价格	PEMH19; PUMH19 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 kOhm, R2 = open SOT 6-Pin
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