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PDTC143ZK

更新时间: 2024-10-31 22:15:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 54K
描述
NPN resistor-equipped transistor

PDTC143ZK 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:PLASTIC, SC-59A, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.61其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:3.5 pF
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.25 W最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

PDTC143ZK 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PDTC143ZK  
NPN resistor-equipped transistor  
1999 May 21  
Product specification  
Supersedes data of 1998 May 19  

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