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PDTC143ZK,115

更新时间： 2024-11-01 15:47:43

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PDTC143ZK,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.79	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	3.5 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

PDTC143Z series

NPN resistor-equipped transistors;

R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ

Product speciﬁcation

2004 Aug 16

Supersedes data of 2004 Apr 06

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PDTC143ZK	NXP	类似代替	NPN resistor-equipped transistor
BCR116E6327HTSA1	INFINEON	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BCR166	INFINEON	功能相似	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC143ZM	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW
PDTC143ZM	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC143ZM,315	NXP	获取价格	PDTC143Z series - NPN resistor-equipped trans
PDTC143ZMB	NXP	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.37 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA
PDTC143ZMB	NEXPERIA	获取价格	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 4.7 kΩ
PDTC143ZMB,315	NXP	获取价格	PDTC143ZMB - NPN resistor-equipped transistor
PDTC143ZQA	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors
PDTC143ZQAZ	ETC	获取价格	TRANS PREBIAS NPN 3DFN
PDTC143ZQB-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistorsProduction
PDTC143ZQC-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistorsProduction