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PDTC114YMB PDF预览

PDTC114YMB

更新时间： 2023-09-03 20:37:10
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 832K
描述
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩProduction

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PDTC114YMB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-PBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.59其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PBCC-N3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN参考标准：AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：230 MHz
Base Number Matches：1

PDTC114YMB 数据手册

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Dear Customer,  
On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the  
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- © NXP N.V. (year). All rights reserved or © Koninklijke Philips Electronics N.V. (year). All rights  
reserved  
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- © Nexperia B.V. (year). All rights reserved.  
If you have any questions related to the data sheet, please contact our nearest sales office via e-mail  
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understanding,  
Kind regards,  
Team Nexperia  
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