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PDTC114ET

更新时间： 2024-02-19 02:02:11

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	235K
描述
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩProduction

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技术参数
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PDTC114ET 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.57	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

PDTC114ET 数据手册

Nexperia

PDTC114ET

50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

006aac769

006aac770

I(on)

(V)

CEsat

(V)

(1)

(2)

-1

(3)

(1)

(2)

(3)

-2

-1

(mA)

I (mA)

I_C/I_B= 20

V_CE= 0.3 V

(1) T_amb= 100 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= -40 °C

(1) T_amb= -40 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= 100 °C

Fig. 5. Collector-emitter saturation voltage as a

function of collector current; typical values

Fig. 6. On-state input voltage as a function of collector

current; typical values

006aac771

006aac772

(pF)

I(off)

(V)

(1)

(2)

(3)

-1

(mA)

(V)

V_CE= 5 V

f = 1 MHz

(1) T_amb= -40 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= 100 °C

T_amb= 25 °C

Fig. 8. Collector capacitance as a function of collector-

base voltage; typical values

Fig. 7. Off-state input voltage as a function of collector

current; typical values

PDTC114ET

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Product data sheet

1 July 2022

6 / 13

1...3 4 567 8 9...13

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