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PDTC114ET

更新时间： 2024-01-03 03:37:54

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
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13页	235K
描述
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩProduction

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技术参数
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PDTC114ET 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.57	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

PDTC114ET 数据手册

Nexperia

PDTC114ET

50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ

8. Limiting values

Table 5. Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

V_I

Parameter

Conditions

Min

Max

Unit

collector-base voltage

open emitter

collector-emitter voltage open base

emitter-base voltage

input voltage

open collector

positive

negative

-10

100

250

150

I_O

output current

°C

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

ambient temperature

storage temperature

T_amb≤ 25 °C

[1]

T_amb

T_stg

-65

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided, 35 μm copper, tin-plated and standard footprint.

aaa-032854

300

tot

(mW)

200

100

-75

-25

125

175

(°C)

amb

FR4 PCB, single-sided, 35 μm copper, tin-plated and standard footprint

Fig. 1. Power derating curve

PDTC114ET

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Product data sheet

1 July 2022

3 / 13

1 234 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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