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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ24,.34 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 8 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDSO-J24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15.875 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ24,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.75 mm |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.21 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDM41257SA8SOTR | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 8ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| PDM41257SA8SOTY | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 8ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| PDM41258LA10DI | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| PDM41258LA10SO | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 10ns, CMOS, PDSO24 |
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| PDM41258LA10SOI | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| PDM41258LA10SOITR | IXYS |
获取价格 |
SRAM |
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| PDM41258LA10SOITY | IXYS |
获取价格 |
SRAM |
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| PDM41258LA10SOTY | IXYS |
获取价格 |
SRAM |
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| PDM41258LA12DI | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| PDM41258LA12SO | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 12ns, CMOS, PDSO24 |
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