是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX1 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0005 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.14 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PDM41027LA20TI | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 20ns, CMOS, PDSO28 | |
PDM41027LA20TSO | ETC |
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x1 SRAM | |
PDM41027LA20TSOI | ETC |
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x1 SRAM | |
PDM41027LA25SO | ETC |
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x1 SRAM | |
PDM41027LA25SOI | ETC |
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x1 SRAM | |
PDM41027LA25TSO | ETC |
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x1 SRAM | |
PDM41027LA25TSOI | ETC |
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x1 SRAM | |
PDM41027LA35SOI | ETC |
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x1 SRAM | |
PDM41027LA35TSOI | ETC |
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x1 SRAM | |
PDM41027SA/S10SO | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 10ns, CMOS, PDSO28, |