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PDM41027SA/S15SO

更新时间: 2024-10-29 20:15:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 428K
描述
Standard SRAM, 1MX1, 15ns, CMOS, PDSO28

PDM41027SA/S15SO 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ28,.44Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.88最长访问时间:15 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:28字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.185 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

PDM41027SA/S15SO 数据手册

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