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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.15 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.55 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDM41027LA20TSO | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41027LA20TSOI | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41027LA25SO | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41027LA25SOI | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41027LA25TSO | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41027LA25TSOI | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41027LA35SOI | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41027LA35TSOI | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41027SA/S10SO | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 10ns, CMOS, PDSO28, |
|
| PDM41027SA/S10T | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 10ns, CMOS, PDSO28, |
|
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