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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 30 ns | 其他特性： | POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | 长度： | 36.825 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.32 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PD51256-35 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| PD51258-20 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| PD51258-25 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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| PD51258-30 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 30ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| PD51258-35 | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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| PD-5130 | OPTOWAY |
获取价格 |
1.55 μm WDM PIN PHOTODIODES |
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| PD-5130-N | OPTOWAY |
获取价格 |
1.55 μm WDM PIN PHOTODIODES |
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| PD-5135 | OPTOWAY |
获取价格 |
1.55 μm WDM PIN PHOTODIODES |
|
| PD-5135-N | OPTOWAY |
获取价格 |
1.55 μm WDM PIN PHOTODIODES |
|
| PD514 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
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