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PD51258-25

更新时间: 2024-01-30 14:01:10
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英特尔 - INTEL 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 149K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

PD51258-25 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:24
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
最长访问时间:25 ns其他特性:POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-PDIP-T24长度:31.495 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.32 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

PD51258-25 数据手册

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