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PD51256-35

更新时间: 2024-02-27 18:21:40
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英特尔 - INTEL 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 159K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

PD51256-35 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:35 ns其他特性:POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-PDIP-T28长度:36.825 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.32 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

PD51256-35 数据手册

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