IGBT Module
-
Chopper
150A,600V
PCHMB150A6A
□ 回 路 図 : CIRCUIT
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
重量:220g
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Symbol
VCES
Rated Value
Unit
V
600
Collector-Emitter Voltage
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
VGES
±20
V
A
IC
DC
150
300
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
ICP
1ms
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
PC
Tj
560
W
接
合
温
度
-40~+150
-40~+125
2,500
℃
Junction Temperature Range
保
存
温
度
Tstg
Viso
Ftor
℃
Storage Temperature Range
絶
縁
耐
圧(Terminal to Base AC,1minute)
V(RMS)
Isolation Voltage
Module Base to Heatsink
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
N・m
(kgf・cm)
2(20.4)
Busbar to Main Terminal
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic Symbol Test Condition
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Min. Typ. Max. Unit
ICES
VCE = 600V, VGE = 0V
VGE = ±20V, VCE = 0V
IC = 150A, VGE = 15V
VCE = 5V, IC = 150mA
VCES = 10V, VGE = 0V,f= 1MHz
-
-
-
-
2.0
1.0
2.6
8.0
-
mA
µA
V
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
IGES
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
VGE(th)
Cies
-
2.1
-
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
4.0
-
V
入
力
容
量
15,000
pF
Input Capacitance
上 昇 時 間 Rise
Time
tr
ton
tf
-
-
-
-
0.15 0.30
0.25 0.40
0.20 0.35
0.45 0.70
VCC = 300V
RL = 2Ω
ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time
Switching Time
µs
RG = 5.1Ω
VGE = ±15V
下 降 時 間 Fall
Time
ターンオフ時間 Turn-off Time
toff
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃)
Item
流
Symbol
Rated Value
150
Unit
A
DC
IF
順
電
Forward Current
1ms
IFM
300
Characteristic
Symbol Test Condition
Min. Typ. Max. Unit
順
電
圧
VF
IF = 150A, VGE = 0V
-
-
1.9
2.4
V
Peak Forward Voltage
逆
回
復
時
間
IF = 150A, VGE = -10V
di/dt = 150A/µs
trr
0.15 0.25
µs
Reverse Recovery Time
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Test Condition
Rth(j-c) Junction to Case
Min. Typ. Max. Unit
IGBT
Diode
-
-
-
-
0.22
0.45
熱
抵
抗
℃/W
Thermal Impedance