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PCHMB300A6_1

更新时间： 2024-01-16 23:02:06
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NIEC /
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3页 126K
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300A 600V

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PCHMB300A6_1 数据手册

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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ  
－
Ｃｈｏｐｐｅｒ  
３００ Ａ，６００Ｖ  
ＰＣＨＭＢ３００Ａ６  
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
Dimension:［mm］  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
重量：430ｇ  
Ｉｔｅｍ  
コレクタ・エミッタ間電圧  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶCES  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ｖ
６００  
Collector-Emitter Voltage  
ゲート・エミッタ間電圧  
Gate-Emitter Voltage  
ＶGES  
±２０  
Ｖ
Ａ
ＩC  
ＩCP  
ＤＣ  
３００  
６００  
コ レ ク タ 電 流  
Collector Current  
１ｍｓ  
コ レ ク タ 損 失  
Collector Power Dissipation  
ＰC  
Ｔj  
１，０４０  
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
２,５００  
Ｗ
接
合
温
度
℃
Junction Temperature Range  
保
存
温
度
Ｔstg  
Ｖiso  
Ｆtor  
℃
Storage Temperature Range  
絶
縁
耐
圧(Terminal to Base AC,1minute)  
Ｖ(RMS)  
Isolation Voltage  
Module Base to Heatsink  
Busbar to Main Terminal  
締 め 付 け ト ル ク  
Mounting Torque  
ＰＣＨＭＢ３００Ａ６  
ＰＣＨＭＢ３００Ａ６Ｃ  
３（３０.６）  
Ｎ・ｍ  
(kgf･cm)  
２（２０.４）  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ＩCES  
ＶCE = 600V, ＶGE = 0V  
ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V  
ＩC = 300A, ＶGE = 15V  
ＶCE = 5V, ＩC = 300mA  
ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz  
－
－
－
－
３.０  
１.０  
２.６  
８.０  
－
ｍＡ  
µＡ  
Ｖ
Collector-Emitter Cut-Off Current  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
Gate-Emitter Leakage Current  
ＩGES  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
ＶCE(sat)  
ＶGE(th)  
Ｃies  
－
２.１  
－
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
４.０  
－
Ｖ
入
力
容
量
30,000  
ｐＦ  
Input Capacitance  
上 昇 時 間 Rise  
Time  
ｔr  
ｔon  
ｔf  
－
－
－
－
０.２０ ０.４０  
０.４０ ０.７５  
０.２０ ０.３５  
０.６０ ０.８０  
ＶCC = 300V  
ＲL = 1Ω  
ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time  
Switching Time  
µｓ  
ＲG = 2.0Ω  
ＶGE = ±15V  
下 降 時 間 Fall  
Time  
ターンオフ時間 Turn-off Time  
ｔoff  
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
流
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
３００  
Ｕｎｉｔ  
Ａ
ＤＣ  
ＩF  
順
電
Forward Current  
１ｍｓ  
ＩFM  
６００  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
順
電
圧
ＶF  
ＩF = 300A, ＶGE = 0V  
－
－
１.９  
２.４  
Ｖ
Peak Forward Voltage  
逆
回
復
時
間
ＩF = 300A, ＶGE = -10V  
ｄi/ｄt = 300A/µs  
ｔrr  
０.１５ ０.２５  
µｓ  
Reverse Recovery Time  
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｒth(j-c) Junction to Case  
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ＩＧＢＴ  
Ｄｉｏｄｅ  
－
－
－
－
０.１２  
０.２４  
熱
抵
抗
℃／Ｗ  
Thermal Impedance  
123

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