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PCHMB300B12A

更新时间： 2024-02-03 07:24:59
品牌 Logo 应用领域
NIEC 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 125K
描述
IGBT MODULE Chopper 300A 1200V

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PCHMB300B12A 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.21
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：300 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X5
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1600 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：800 ns
标称接通时间 (ton)：400 nsVCEsat-Max：2.4 V
Base Number Matches：1

PCHMB300B12A 数据手册

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IGBT MODULE Chopper 300A 1200V  
PCHMB300B12A  
CIRCUIT  
OUTLINEDRAWING  
2- fasten- tab No 110  
Dimension(mm)  
Approximate Weight : 450g  
MAXMUM RATINGS (Tc=25°C)  
Item  
Symbol  
PCHMB300B12A  
Unit  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Gate - Emitter Voltage  
VCES  
VGES  
IC  
1200  
+/ - 20  
300  
DC  
1 ms  
Collector Current  
A
ICP  
600  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
PC  
1600  
W
°C  
°C  
V
T
-40 to +150  
-40 to +125  
2500  
j
Tstg  
VISO  
Isolation Voltage Terminal to Base AC, 1 min.)  
Module Base to Heatsink  
Bus Bar to Main Terminals  
Mounting Torque  
FTOR  
3
N•m  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C)  
Characteristic  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
Gate-Emitter Leakage Current  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
Input Capacitance  
Symbol  
ICES  
IGES  
VCE(sat)  
VGE(th)  
Cies  
Test Condition  
VCE=1200V,VGE=0V  
VGE=+/- 20V,VCE=0V  
IC=300A,VGE=15V  
VCE=5V,IC=300mA  
VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz  
Min.  
-
-
-
4.0  
-
Typ.  
-
-
1.9  
-
Max.  
6.0  
1.0  
2.4  
8.0  
-
Unit  
mA  
µA  
V
V
pF  
25000  
Rise Time  
Turn-on Time  
Fall Time  
Turn-off Time  
tr  
ton  
tf  
VCC= 600V  
-
-
-
-
0.25  
0.40  
0.25  
0.80  
0.45  
0.70  
0.35  
1.10  
RL= 2 ohm  
RG= 1.3 ohm  
VGE= +/- 15V  
Switching Time  
µs  
toff  
FREE WHEELING DIODES RATINGS & CHARACTERISTICS (Tc=25°C)  
Item  
Symbol  
IF  
IFM  
Rated Value  
Unit  
A
DC  
1 ms  
300  
400  
Forward Current  
Characteristic  
Peak Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
Symbol  
Test Condition  
IF=300A,VGE=0V  
Min.  
-
-
Typ.  
1.9  
0.2  
Max.  
2.4  
0.3  
Unit  
V
µs  
VF  
trr  
IF=300A,VGE=-10V,di/dt=600A/µs  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Junction to Case  
Min.  
-
-
Typ.  
-
-
Max.  
0.086  
0.16  
Unit  
IGBT  
DIODE  
Thermal Impedance  
R
th(j-c)  
°C/W  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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