Datasheet > 晶体管 > IGBT> PCHMB200B12

PCHMB200B12

更新时间： 2024-02-24 20:16:30

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3页	196K
描述
200A 1200V

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PCHMB200B12 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	200 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	元件数量：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	960 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	800 ns	标称接通时间 (ton)：	400 ns
VCEsat-Max：	2.4 V	Base Number Matches：	1

PCHMB200B12 数据手册

ＩＧＢＴＭｏｄｕｌｅ－

２００Ａ，１２００Ｖ

ＰＣＨＭＢ２００Ｂ１２

Ｃｈｏｐｐｅｒ

□

回路図：ＣＩＲＣＵＩＴ

□ 外形寸法図：ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

94.0

80 ^±0.25

11.0

12.0

12.0 11.0 12.0

2-Ø6.5

(C2E1)

(E2)

(C1)

5(E1)

4(G1)

3-M5

23.0

17.0

4-fasten tab

#110 t=0.5

LABEL

Dimension:［mm］

□ 最大定格：ＭＡＸＩＭＵＭＲＡＴＩＮＧＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

ＩｔｅｍＳｙｍｂｏｌ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

１，２００

Ｕｎｉｔ

Ｖ

コレクタ・エミッタ間電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage

Ｖ_ＣＥＳ

Ｖ_ＧＥＳ

ゲート・エミッタ間電圧

Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage

±２０

Ｖ

Ａ

Ｉ_Ｃ

ＤＣ

２００

４００

コレクタ電流

Ｃollector Ｃurrent

Ｉ_ＣＰ

１ｍｓ

コレクタ損失

Ｃollector Ｐower Ｄissipation

Ｐ_Ｃ

９６０

Ｗ

接

合

温

Ｊunction Ｔemperature Ｒange

度

Ｔ_ｊ

－４０～＋１５０

－４０～＋１２５

２,５００

℃

保

存

温

度

Ｔ_ｓｔｇ

Ｖ_ＩＳＯ

Ｆ_ｔｏｒ

℃

Ｓtorage Ｔemperature Ｒange

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)

絶

縁

耐

Ｖ_{（ＲＭＳ）}

Ｉsolation Ｖoltage

Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink

Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal

３（３０.６）

２（２０.４）

締め付けトルク

Ｍounting Ｔorque

Ｎ・ｍ

(kgf･cm)

□ 電気的特性：ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

コレクタ遮断電流

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_ＣＥＳ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

Ｖ_ＣＥ= 1200V,Ｖ_ＧＥ= 0V

Ｖ_ＧＥ= ±20V,Ｖ_ＣＥ= 0V

Ｉ_Ｃ= 200A,Ｖ_ＧＥ= 15V

４.０

１.０

２.４

８.０

－

ｍＡ

μＡ

Ｖ

Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent

ゲート漏れ電流

Ｉ_ＧＥＳ

Ｖ_{ＣＥ（ｓａｔ）}

Ｖ_{ＧＥ（ｔｈ）}

Ｃ_ｉｅｓ

－

１.９

－

Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage

ゲートしきい値電圧

Ｖ_ＣＥ= 5V,Ｉ_Ｃ= 200mA

４.０

－

Ｖ

Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage

入

力

容

量

Ｖ_ＣＥ= 10V,Ｖ_ＧＥ= 0V,ｆ= 1MH_Ｚ

16,600

ｐＦ

Ｉnput Ｃapacitance

ｔ_ｒ

ｔ_ｏｎ

ｔ_ｆ

上昇時間Ｒise

ターンオン時間Ｔurn-on Ｔime

下降時間Ｆall Ｔime

ターンオフ時間Ｔurn-off Ｔime

Ｔime

－

０.２５

０.４０

０.２５

０.８０

０.４５

０.７０

０.３５

１.１０

Ｖ_ＣＣ= 600V

Ｒ_L= 3Ω

スイッチング時間

Ｓwitching Ｔime

μｓ

Ｒ_G= 2Ω

Ｖ_ＧＥ= ±15V

ｔ_ｏｆｆ

□フリーホイーリングダイオードの特性：ＦＲＥＥＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ_Ｃ＝２５℃）

Ｉｔｅｍ

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｉ_Ｆ

Ｉ_ＦＭ

ＲａｔｅｄＶａｌｕｅ

Ｕｎｉｔ

Ａ

順

電

流

ＤＣ

２００

４００

Ｆorward Ｃurrent

１ｍｓ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

圧

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｖ_Ｆ

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

１.９

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

順

電

Ｉ_Ｆ= 200A,Ｖ_ＧＥ= 0V

２.４

０.３

Ｖ

Ｐeak Ｆorward Ｖoltage

逆回復時間

Ｉ_Ｆ= 200A,Ｖ_ＧＥ= -10V

ｄi/ｄt= 400A/μs

ｔ_ｒｒ

－

０.２

μｓ

Ｒeverse Ｒecovery Ｔime

□ 熱的特性：ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

抗

Ｓｙｍｂｏｌ

Ｒth(j-c)

ＴｅｓｔＣｏｎｄｉｔｉｏｎ

Junction to Case

Ｍｉｎ.

－

Ｔｙｐ.

－

Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ

熱

抵

ＩＧＢＴ

Ｄiode

０.１２５

℃／Ｗ

Ｔhermal Ｉmpedance

０.２４

日本インター株式会社

12 3

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