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PCHMB200A6

更新时间: 2024-09-28 10:16:39
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3页 125K
描述
200A 600V

PCHMB200A6 数据手册

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IGBT Module-  
200 ,600V  
PCHMB200A6  
Chopper  
□ 回 路 図 CIRCUIT  
□ 外 形 寸 法 図 OUTLINE DRAWING  
Dimension:[mm]  
□ 最 大 定 格 MAXIMUM RATINGS (T=25℃)  
重量:320g  
Item  
コレクタ・エミッタ間電圧  
Symbol  
CES  
Rated Value  
Unit  
600  
Collector-Emitter Voltage  
ゲート・エミッタ間電圧  
Gate-Emitter Voltage  
GES  
±20  
C  
DC  
200  
400  
コ レ ク タ 電 流  
Collector Current  
CP  
1ms  
コ レ ク タ 損 失  
Collector Power Dissipation  
C  
j  
780  
-40~+150  
-40~+125  
2,500  
Junction Temperature Range  
stg  
iso  
tor  
Storage Temperature Range  
(Terminal to Base AC,1minute)  
(RMS)  
Isolation Voltage  
Module Base to Heatsink  
Busbar to Main Terminal  
3(30.6)  
2(20.4)  
締 め 付 け ト ル ク  
Mounting Torque  
N・m  
(kgf・cm)  
□ 電 気 的 特 性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃)  
Characteristic Symbol Test Condition  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Min. Typ. Max. Unit  
CES  
CE = 600V, VGE = 0V  
GE = ±20V, VCE = 0V  
C = 200A, VGE = 15V  
CE = 5V, IC = 200mA  
CES = 10V, VGE = 0V,f= 1MHz  
2.0  
1.0  
2.6  
8.0  
mA  
µA  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
Gate-Emitter Leakage Current  
GES  
コレクタ・エミッタ飽和電圧  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
CE(sat)  
GE(th)  
ies  
2.1  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
4.0  
20,000  
pF  
Input Capacitance  
上 昇 時 間 Rise  
Time  
r  
on  
f  
0.15 0.30  
0.25 0.40  
0.20 0.35  
0.45 0.70  
CC = 300V  
L = 3  
ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time  
Switching Time  
µs  
G = 3.6Ω  
GE = ±15V  
下 降 時 間 Fall  
Time  
ターンオフ時間 Turn-off Time  
off  
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: REE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(T=25℃)  
Item  
Symbol  
Rated Value  
200  
Unit  
DC  
F  
Forward Current  
1ms  
FM  
400  
Characteristic  
Symbol Test Condition  
Min. Typ. Max. Unit  
F  
F = 200A, VGE = 0V  
1.9  
2.4  
Peak Forward Voltage  
F = 200A, VGE = -10V  
di/dt = 200A/µs  
rr  
0.15 0.25  
µs  
Reverse Recovery Time  
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic Symbol Test Condition  
th(j-c) Junction to Case  
Min. Typ. Max. Unit  
IGBT  
Diode  
0.16  
0.38  
℃/W  
Thermal Impedance  

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