5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> PCHMB200A6A
PCHMB200A6A PDF预览

PCHMB200A6A

更新时间： 2024-01-15 23:58:37
品牌 Logo 应用领域
NIEC /
页数 文件大小 规格书
3页 125K
描述
200A 600V

阅读下载

中文翻译

获取价格

PCHMB200A6A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：200 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X5元件数量：1
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：780 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：450 ns标称接通时间 (ton)：250 ns
VCEsat-Max：2.6 VBase Number Matches：1

PCHMB200A6A 数据手册

 浏览型号PCHMB200A6A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PCHMB200A6A的Datasheet PDF文件第3页 
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－  
２００ Ａ，６００Ｖ  
ＰＣＨＭＢ２００Ａ６Ａ  
Ｃｈｏｐｐｅｒ  
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ  
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
Dimension:［mm］  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
重量：320ｇ  
Ｉｔｅｍ  
コレクタ・エミッタ間電圧  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶCES  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ｖ
６００  
Collector-Emitter Voltage  
ゲート・エミッタ間電圧  
Gate-Emitter Voltage  
ＶGES  
±２０  
Ｖ
Ａ
ＩC  
ＤＣ  
２００  
４００  
コ レ ク タ 電 流  
Collector Current  
ＩCP  
１ｍｓ  
コ レ ク タ 損 失  
Collector Power Dissipation  
ＰC  
Ｔj  
７８０  
Ｗ
接
合
温
度
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
２,５００  
℃
Junction Temperature Range  
保
存
温
度
Ｔstg  
Ｖiso  
Ｆtor  
℃
Storage Temperature Range  
絶
縁
耐
圧(Terminal to Base AC,1minute)  
Ｖ(RMS)  
Isolation Voltage  
Module Base to Heatsink  
Busbar to Main Terminal  
３（３０.６）  
２（２０.４）  
締 め 付 け ト ル ク  
Mounting Torque  
Ｎ・ｍ  
(kgf･cm)  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ＩCES  
ＶCE = 600V, ＶGE = 0V  
ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V  
ＩC = 200A, ＶGE = 15V  
ＶCE = 5V, ＩC = 200mA  
ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz  
－
－
－
－
２.０  
１.０  
２.６  
８.０  
－
ｍＡ  
µＡ  
Ｖ
Collector-Emitter Cut-Off Current  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
Gate-Emitter Leakage Current  
ＩGES  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
ＶCE(sat)  
ＶGE(th)  
Ｃies  
－
２.１  
－
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
４.０  
－
Ｖ
入
力
容
量
20,000  
ｐＦ  
Input Capacitance  
上 昇 時 間 Rise  
Time  
ｔr  
ｔon  
ｔf  
－
－
－
－
０.１５ ０.３０  
０.２５ ０.４０  
０.２０ ０.３５  
０.４５ ０.７０  
ＶCC = 300V  
ＲL = 3Ω  
ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time  
Switching Time  
µｓ  
ＲG = 3.6Ω  
ＶGE = ±15V  
下 降 時 間 Fall  
Time  
ターンオフ時間 Turn-off Time  
ｔoff  
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
流
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
２００  
Ｕｎｉｔ  
Ａ
ＤＣ  
ＩF  
順
電
Forward Current  
１ｍｓ  
ＩFM  
４００  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
順
電
圧
ＶF  
ＩF = 200A, ＶGE = 0V  
－
－
１.９  
２.４  
Ｖ
Peak Forward Voltage  
逆
回
復
時
間
ＩF = 200A, ＶGE = -10V  
ｄi/ｄt = 200A/µs  
ｔrr  
０.１５ ０.２５  
µｓ  
Reverse Recovery Time  
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｒth(j-c) Junction to Case  
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ＩＧＢＴ  
Ｄｉｏｄｅ  
－
－
－
－
０.１６  
０.３８  
熱
抵
抗
℃／Ｗ  
Thermal Impedance  
123

中文翻译

下载PDF

与PCHMB200A6A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PCHMB200A6A_1 NIEC

获取价格

 		200A 600V
PCHMB200B12 NIEC

获取价格

 		200A 1200V
PCHMB200B12_1 NIEC

获取价格

 		200A 1200V
PCHMB200B12A NIEC

获取价格

 		IGBT MODULE Chopper 200A 1200V
PCHMB200B12A_1 NIEC

获取价格

 		200A 1200V
PCHMB200E6 NIEC

获取价格

 		IGBT Module-Chopper
PCHMB200W12 KYOCERA AVX

获取价格

 		本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
PCHMB200W6 KYOCERA AVX

获取价格

 		本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品，并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电，在
PCHMB300A6 NIEC

获取价格

 		300A 600V
PCHMB300A6_1 NIEC

获取价格

 		300A 600V

与PCHMB200A6A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证