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PBLS6001D/T1

更新时间： 2024-02-01 06:42:05

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	136K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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PBLS6001D/T1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-74
包装说明：	PLASTIC, SC-74, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN AND PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	185 MHz
Base Number Matches：	1

PBLS6001D/T1 数据手册

PBLS6001D

60 V PNP BISS loadswitch

Rev. 02 — 7 September 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN

Resistor-Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface Mounted Device

(SMD) plastic package.

1.2 Features

I Low V_CEsat(BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one package

I Low threshold voltage (< 1 V) compared to MOSFET

I Low drive power required

I Space-saving solution

I Reduction of component count

1.3 Applications

I Supply line switches

I Battery charger switches

I High-side switches for LEDs, drivers and backlights

I Portable equipment

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

TR1; PNP low V_CEsattransistor

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage

collector current (DC)

open base

−60

−1

[1]

[2]

R_CEsat

collector-emitter saturation I_C= −1 A;

resistance I_B= −100 mA

255

340

mΩ

TR2; NPN resistor-equipped transistor

V_CEO

I_O

collector-emitter voltage

output current (DC)

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

open base

100

2.86

1.2

kΩ

1.54

0.8

2.2

R2/R1

[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al₂O₃, standard footprint.

[2] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02

12 3 4 5 6 7...16

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