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PBLS6003D/T1

更新时间： 2024-01-05 17:41:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	137K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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PBLS6003D/T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PBLS6003D/T1 数据手册

PBLS6003D

60 V PNP BISS loadswitch

Rev. 02 — 7 September 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP low V_CEsatBreakthrough In Small Signal (BISS) transistor and

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) small Surface Mounted

Device (SMD) plastic package.

1.2 Features

I Low V_CEsat(BISS) transistor and resistor-equipped transistor in one package

I Low threshold voltage (< 1 V) compared to MOSFET

I Low drive power required

I Space-saving solution

I Reduction of component count

1.3 Applications

I Supply line switches

I Battery charger switches

I High-side switches for LEDs, drivers and backlights

I Portable equipment

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

TR1; PNP low V_CEsattransistor

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage

collector current (DC)

open base

−60

−1

[1]

[2]

R_CEsat

collector-emitter saturation I_C= −1 A;

resistance I_B= −100 mA

255

340

mΩ

TR2; NPN resistor-equipped transistor

V_CEO

I_O

collector-emitter voltage

output current (DC)

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

open base

100

kΩ

R2/R1

0.8

1.2

[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al₂O₃, standard footprint.

[2] Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PBLS6003D/T2	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-	获取价格
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