P6FMBJ10C

更新时间： 2024-11-20 13:12:11

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RECTRON		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	1087K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.92V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

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P6FMBJ10C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.17	其他特性：	LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压：	12.1 V	最小击穿电压：	9.9 V
最大钳位电压：	15 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	8.92 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

P6FMBJ10C 数据手册

TVS

RECTRON

TECHNICAL SPECIFICATION

P6FMBJ

SERIES

SEMICONDUCTOR

GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE

FEATURES

* Plastic package has underwriters laboratory

* Glass passivated chip construction

* 600 watt surage capability at 1ms

* Excellent clamping capability

* Low zener impedance

DO-214AA

* Fast response time

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Dimensions in inches and (millimeters)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA suffix for types P6FMBJ6.8 thru P6FMBJ400

Electrical characteristics apply in both direction

MAXIMUM RATINGS (At T

= 25^oC unless otherwise noted)

SYMBOL

VALUE

UNITS

Watts

RATINGS

PPM

Minimum 600

Peak Power Dissipation with a 10/1000uS (Note 1,2 Fig.1)

Peak Pulse Durrent with a 10/1000uS waveform

( Note 1, Fig.3 )

PPM

SEE TABLE 1

Amps

Steady State Power Dissipation at T

= 75^oC ( Note 2 )

(

)

5.0

Peak Forward Surge Current, 8.3mS single half sine wave super-

imposed on rated load (Jedec Method)(Note 3,2) unidirectional only

FSM

100

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for

unidirectional only ( Note 3,4 )

SEE NOTE 4

-55 to + 150

Volts

⁰C

, TSTG

Operating and Storage Temperature Range

1998-8

NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25^oC per Fig.2.

2. Mounted on 0.2 X 0.2” ( 5.0 X 5.0mm ) copper pad to each terminal.

3. Measured on 8.3mS single half Sine-Wave or equivalent wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

4. V = 3.5V on P6FMBJ6.8 thru P6FMB90 devices and V = 5.0V on P6FMBJ100 thur P6FMBJ400 devices.

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与P6FMBJ10C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P6FMBJ10CA	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.55V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
P6FMBJ11	RECTRON	获取价格	GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE)
P6FMBJ110	RECTRON	获取价格	GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE)
P6FMBJ110A	RECTRON	获取价格	GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE)
P6FMBJ110A-T	RECTRON	获取价格	暂无描述
P6FMBJ110A-W	RECTRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 94V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
P6FMBJ110C	RECTRON	获取价格	暂无描述
P6FMBJ110CA	RECTRON	获取价格	暂无描述
P6FMBJ110CAV-W	RECTRON	获取价格	暂无描述
P6FMBJ110CA-W	RECTRON	获取价格	暂无描述

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