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P6FMBJ120C-W

更新时间： 2024-11-18 18:56:47
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 34K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 97.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

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P6FMBJ120C-W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.72
其他特性：LOW ZENER IMPEDANCE最大击穿电压：132 V
最小击穿电压：108 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：97.2 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

P6FMBJ120C-W 数据手册

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TVS  
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
P6FMBJ  
SERIES  
SEMICONDUCTOR  
SURFACE MOUNT GPP  
GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
600 WATT PEAK POWER 5.0 WATTS STEADY STATE  
FEATURES  
* Plastic package has underwriters laboratory  
* Glass passivated chip construction  
* 600 watt surage capability at 1ms  
* Excellent clamping capability  
* Low zener impedance  
DO-214AA  
* Fast response time  
(
)
0.083 2.11  
(
)
)
0.155 3.94  
(
)
0.077 1.96  
(
0.130 3.30  
(
)
0.180 4.57  
(
)
0.160 4.06  
(
)
0.012 0.305  
(
)
0.006 0.152  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
(
)
)
)
0.096 2.44  
(
0.084 2.13  
(
0.060 1.52  
(
)
)
0.008 0.203  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
(
)
0.030 0.76  
(
0.004 0.102  
(
)
0.220 5.59  
(
)
0.205 5.21  
Dimensions in inches and (millimeters)  
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS  
For Bidirectional use C or CA suffix for types P6FMBJ6.8 thru P6FMBJ400  
Electrical characteristics apply in both direction  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
VALUE  
UNITS  
Watts  
RATINGS  
P
PPM  
Minimum 600  
Peak Power Dissipation with a 10/1000uS (Note 1,2 Fig.1)  
Peak Pulse Durrent with a 10/1000uS waveform  
( Note 1, Fig.3 )  
I
PPM  
SEE TABLE 1  
Amps  
Watts  
Amps  
Steady State Power Dissipation at T  
L
= 75oC ( Note 2 )  
P
M
(
AV  
)
5.0  
Peak Forward Surge Current, 8.3mS single half sine wave super-  
imposed on rated load (Jedec Method)(Note 3,2) unidirectional only  
I
FSM  
100  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for  
unidirectional only ( Note 3,4 )  
V
F
SEE NOTE 4  
-55 to + 150  
Volts  
0 C  
T
J
, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
2002-12  
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T  
A
= 25oC per Fig.2.  
2. Mounted on 0.2 X 0.2” ( 5.0 X 5.0mm ) copper pad to each terminal.  
3. Measured on 8.3mS single half Sine-Wave or equivalent wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.  
4. V = 3.5V on P6FMBJ6.8 thru P6FMB90 devices and V = 5.0V on P6FMBJ100 thur P6FMBJ400 devices.  
F
F
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P6FMBJ120V-W RECTRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
P6FMBJ120-W RECTRON

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 		暂无描述
P6FMBJ12A RECTRON

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 		GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (600 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE)
P6FMBJ12CA RECTRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
P6FMBJ12CA-W RECTRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
P6FMBJ12-W RECTRON

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