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P4SMAJ13

更新时间： 2024-09-14 05:59:07
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
4页 86K
描述
Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

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P4SMAJ13 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-214AC包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.38Is Samacsys：N
最大击穿电压：17.6 V最小击穿电压：14.4 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：13 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

P4SMAJ13 数据手册

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P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA  
P4SMAJ5.0 ... P4SMAJ170CA  
Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden für die Oberflächenmontage  
Version 2006-04-14  
Peak pulse power dissipation  
Impuls-Verlustleistung  
400 W  
5± 0.2  
Nominal Stand-off voltage  
Nominale Sperrspannung  
5.0...170 V  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
~ SMA  
~ DO-214AC  
1
0.15  
Type  
Typ  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.07 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
4.6± 0.2  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rollen  
Dimensions - Maße [mm]  
For bidirectional types (add suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)  
TA = 25°C  
TT = 75°C  
TA = 25°C  
IF = 25 A  
PPPM  
400 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
PM(AV)  
IFSM  
VF  
1 W  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
40 A 2)  
Max. instantaneous forward voltage  
< 3.5 V 2)  
Augenblickswert der Durchlass-Spannung  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
RthA  
RthT  
< 70 K/W 3)  
Thermal resistance junction to terminal  
< 30 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss  
TVS diodes having breakdown voltage VBR = 220 ... 550 V: please refer to datasheet P4SMA220  
TVS-Dioden mit Abbruchspannung VBR = 220 ... 550 V: siehe Datenblatt P4SMA220  
1
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
2
3
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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