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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> P2N2907A
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P2N2907A

更新时间： 2024-11-30 03:44:15
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体小信号双极晶体管局域网
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5页 91K
描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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P2N2907A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.02
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
基于收集器的最大容量：8 pF集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：100 ns
VCEsat-Max：1.3 VBase Number Matches：1

P2N2907A 数据手册

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Continental Device India Limited  
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company  
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS  
P2N2907  
P2N2907A  
TO-92  
Plastic Package  
E
B
C
Designed for switching and linear applications, DC amplifier and driver for industrial applications  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC Unless Specified Otherwise)  
P2N2907A  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
P2N2907  
UNIT  
V
VCEO  
60  
60  
Collector Emitter Voltage  
Collector Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
40  
60  
VCBO  
VEBO  
ICM  
V
5
V
600  
625  
5
Collector Current  
mA  
Total Power Dissipation @ Ta=25ºC  
Derate above 25ºC  
mW  
mW/ºC  
W
PD  
PD  
Total Power Dissipation @ TC=25ºC  
1.5  
12  
Derate above 25ºC  
mW/ºC  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
Tj, Tstg  
- 55 to +150  
ºC  
THERMAL RESISTANCE  
Junction to Case  
Rth (j-c)  
Rth (j-a)  
83.3  
200  
ºC/W  
ºC/W  
Junction to Ambient  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC Unless Specified Otherwise)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
*VCEO  
TEST CONDITION  
P2N2907  
>40  
P2N2907A UNIT  
IC=10mA, IB=0  
IC=10mA, IE=0  
IE=10mA, IC=0  
VCB=50V, IE=0  
Collector Emitter Voltage  
Collector Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
>60  
>60  
>5  
V
V
VCBO  
>60  
VEBO  
ICBO  
>5  
V
<20  
<10  
<10  
<50  
<10  
<10  
nA  
mA  
nA  
nA  
VCB=50V, IE=0, Ta=150oC  
VCE=30V, VEB(off)=0.5V  
VCE=10V, IB=0  
<20  
Collector Cut off Current  
ICEX  
ICEO  
IEBO  
<50  
<10  
VEB=3V, IC=0  
VCE=30V, VEB(off)=0.5V  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
Emitter Cut off Current  
<10  
nA  
nA  
IBEX  
Base Cut off Current  
<50  
<0.4  
<1.6  
<1.3  
<2.6  
<50  
*VCE (sat)  
Collector Emitter Saturation Voltage  
<0.4  
<1.6  
<1.3  
<2.6  
V
V
*VBE (sat)  
Base Emitter Saturation Voltage  
P2N2907_A Rev_1151204D  
Data Sheet  
Page 1 of 5  
Continental Device India Limited  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P2N2907A/D ETC

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 		Amplifier Transistor PNP
P2N2907ADIE ONSEMI

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 		600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, DIE
P2N2907AG ROCHESTER

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
P2N2907AG ONSEMI

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 		晶体管硅塑料 PNP
P2N2907ARL MOTOROLA

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 		暂无描述
P2N2907ARL1 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
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