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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> P2N2907ARL1G
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P2N2907ARL1G

更新时间： 2024-12-01 11:01:35
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安森美 - ONSEMI 小信号双极晶体管
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6页 243K
描述
晶体管硅塑料 PNP

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by P2N2907A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
1
2
3
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–60  
–60  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
–5.0  
–600  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
V
V
–60  
–60  
–5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, V  
I
–50  
nAdc  
µAdc  
CEX  
= –0.5 Vdc)  
CE EB(off)  
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –50 Vdc, I = 0)  
—
—
–0.01  
–10  
E
= –50 Vdc, I = 0, T = 150°C)  
E
A
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc)  
I
—
—
—
–10  
–10  
–50  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
EBO  
EB  
Collector Cutoff Current  
(V = –10 V)  
I
CEO  
CE  
Base Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, V  
I
BEX  
= –0.5 Vdc)  
CE EB(off)  
1. Pulse Test: Pulse Width 300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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P2N2907ARL1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC33716BU ONSEMI

类似代替

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BC33725BU ONSEMI

类似代替

 NPN Bipolar Transistor
KSP2907ATA FAIRCHILD

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P2N2907ARLRF MOTOROLA

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P2N2907AZL1 ONSEMI

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P2N2907AZL1G ONSEMI

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 		晶体管硅塑料 PNP
P2N3019 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226AE
P2N3019-18 MOTOROLA

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 		1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
P2N3019RL MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
P2N3019RL1 MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
P2N3019RLRF MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
P2N3019RLRM MOTOROLA

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