5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> P2N2907ADIE
P2N2907ADIE PDF预览

P2N2907ADIE

更新时间： 2024-11-30 13:02:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 243K
描述
600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, DIE

阅读下载

中文翻译

获取价格

P2N2907ADIE 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.56
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92元件数量：1
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：110 ns最大开启时间（吨）：50 ns
Base Number Matches：1

P2N2907ADIE 数据手册

 浏览型号P2N2907ADIE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P2N2907ADIE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P2N2907ADIE的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P2N2907ADIE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P2N2907ADIE的Datasheet PDF文件第6页 
Order this document  
by P2N2907A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
1
2
3
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–60  
–60  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
–5.0  
–600  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
V
V
–60  
–60  
–5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, V  
I
–50  
nAdc  
µAdc  
CEX  
= –0.5 Vdc)  
CE EB(off)  
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –50 Vdc, I = 0)  
—
—
–0.01  
–10  
E
= –50 Vdc, I = 0, T = 150°C)  
E
A
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc)  
I
—
—
—
–10  
–10  
–50  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
EBO  
EB  
Collector Cutoff Current  
(V = –10 V)  
I
CEO  
CE  
Base Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, V  
I
BEX  
= –0.5 Vdc)  
CE EB(off)  
1. Pulse Test: Pulse Width 300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996
123456

中文翻译

下载PDF

与P2N2907ADIE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P2N2907AG ROCHESTER

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
P2N2907AG ONSEMI

获取价格

 		晶体管硅塑料 PNP
P2N2907ARL MOTOROLA

获取价格

 		暂无描述
P2N2907ARL1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92
P2N2907ARL1G ONSEMI

获取价格

 		晶体管硅塑料 PNP
P2N2907ARLRF MOTOROLA

获取价格

 		600mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
P2N2907AZL1 ONSEMI

获取价格

 		晶体管硅塑料 PNP
P2N2907AZL1G ONSEMI

获取价格

 		晶体管硅塑料 PNP
P2N3019 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226AE
P2N3019-18 MOTOROLA

获取价格

 		1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与P2N2907ADIE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证