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P0311SG12F

更新时间: 2024-10-28 20:52:59
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
25页 2795K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element

P0311SG12F 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.81Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:200 mA
JESD-30 代码:O-MUPM-H3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:355 A
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

P0311SG12F 数据手册

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