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P0327WC08E

更新时间： 2024-11-30 21:06:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 1519K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 800V V(DRM),

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P0327WC08E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69标称电路换相断开时间：25 µs
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：600 mA
最大漏电流：30 mA通态非重复峰值电流：3575 A
最大通态电流：525000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

P0327WC08E 数据手册

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Date:- 07 August 2012  
Data Sheet Issue:- K1  
Fast Turn-off Thyristor  
Types P0327WC08# & P0327WC12#  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
800-1200  
V
V
V
V
800-1200  
800-1200  
900-1300  
MAXIMUM  
LIMITS  
330  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM≤10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak forward gate voltage  
A
A
120  
670  
A
525  
A
3250  
3575  
63.9×1033  
47×103  
500  
A
A
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
I2t  
(di/dt)cr  
1000  
12  
VFGM  
IFGM  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
Peak forward gate current  
18  
A
Peak reverse gate voltage  
5
V
Mean forward gate power  
1.5  
W
W
V
Peak forward gate power (100µs pulse width)  
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
60  
0.25  
THS  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=80% VDRM, IFG=1A, tr≤1µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Types P0327WC08# to P0327WC12# Issue K1  
Page 1 of 12  
August 2012  
1234567...12

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与P0327WC08E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P0327WC08F LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 800V V(DRM),
P0327WC12C LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 1200V V(DRM),
P0327WC12D LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 1200V V(DRM),
P0327WC12E LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 525000mA I(T), 1200V V(DRM),
P0327WC12F LITTELFUSE

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P032FB1CP1 PREMO

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 		Silicon Controlled Rectifier,

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