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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PDFM-T34 |
| 针数： | 34 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | 3 PHASE BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDFM-T34 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 34 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OMD100 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) |
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| OMD100F60HL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
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| OMD100T | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.08ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| OMD120L60HL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
|
| OMD120N10FL | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | FULL BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 120A I(D) |
|
| OMD150N06FL | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | FULL BRIDGE | 60V V(BR)DSS | 150A I(D) |
|
| OMD200 | ETC |
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200V Quad N-Channel MOSFET in a M-12 package |
|
| OMD200V | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.11ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| OMD240N10HL | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 240A I(D) |
|
| OMD300N06HL | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 60V V(BR)DSS | 300A I(D) |
|
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