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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.84 |
| 高边驱动器： | YES | 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 18 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称供电电压： | 18 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OMD200 | ETC |
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200V Quad N-Channel MOSFET in a M-12 package |
|
| OMD200V | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.11ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| OMD240N10HL | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 240A I(D) |
|
| OMD300N06HL | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 60V V(BR)DSS | 300A I(D) |
|
| OMD32F60ML | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | M:ML111MW084 |
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| OMD38L60ML | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 76A I(C) | M:ML111MW084 |
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| OMD400 | ETC |
获取价格 |
400V Quad N-Channel MOSFET in a M-12 package |
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| OMD400(6SIP) | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| OMD500 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 14A I(D) |
|
| OMD500(6SIP) | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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