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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MDFM-F12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.47 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-MDFM-F12 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 12 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 54 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OMD400(6SIP) | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| OMD500 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 14A I(D) |
|
| OMD500(6SIP) | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| OMD500T | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.43ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| OMD500V | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.43ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| OMD50F60FL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | FULL BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
|
| OMD60L60FL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | FULL BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
|
| OMD60N10ML | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 60A I(D) |
|
| OMD75N06ML | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) |
|
| OMEGA-GPU | ETC |
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Graphics Processor |
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