是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-MDFM-F12 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.46 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.43 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-MDFM-F12 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 4 | 端子数量: | 12 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 235 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
OMD500V | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.43ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
OMD50F60FL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | FULL BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | |
OMD60L60FL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | FULL BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | |
OMD60N10ML | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 60A I(D) | |
OMD75N06ML | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 60V V(BR)DSS | 75A I(D) | |
OMEGA-GPU | ETC |
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Graphics Processor | |
OMEGALAQ-263-294F | ETC |
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OMEGALAQ-263-294F | |
OMEGALAQ-263-294FG | ETC |
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OMEGALAQ-263-294F | |
OMEGA-MCU | ETC |
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MEMORY CONTROLLER | |
OMF | SCHURTER |
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Surface Mount Fuse, 7.4 x 3.1 mm, Quick-Acting F, 63 VAC, 63 VDC |