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OMD100T

更新时间： 2024-09-29 07:28:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	45K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.08ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL, MOD, 12 PIN

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OMD100T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F12	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.47
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-MDFM-F12
JESD-609代码：	e0	元件数量：	4
端子数量：	12	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	235
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

OMD100T 数据手册

OMD100 OMD400

OMD200 OMD500

FOUR N-CHANNEL MOSFETS IN HERMETIC

POWER PACKAGE

100V Thru 500V, Up To 25 Amp, N-Channel

MOSFET In Hermetic Metal Package

FEATURES

• Isolated Hermetic Metal Package

• Fast Switching

• Low R_DS(on)

• Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV and S Levels

DESCRIPTION

This series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFET

and packaging technology. They are ideally suited for Military requirements where

small size, high performance and high reliability are required, and in applications such

as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers and

high energy pulse circuits.

MAXIMUM RATINGS PER TRANSISTOR @ 25°C

PART NUMBER

OMD100

V_DS

R_DS(on)

.08

I_D

100V

200V

400V

500V

25A

13A

11A

OMD200

.11

OMD400

.35

3.1

OMD500

.43

SCHEMATIC

CONNECTION DIAGRAM

FET

1.520

.150

.500

MIN.

.260

45°

REF

.170 R.

TYP.

1.000

SQ.

.156 DIA.

TYP.

.040 LEAD

DIA.

.125

(10 PLCS)

.050

.187

TYP.

.270

.625

FET

FET 3

4 11 R2

Supersedes 1 07 R1

3.1 - 1

12 3 4

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与OMD100T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
OMD120L60HL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 150A I(C)
OMD120N10FL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| FULL BRIDGE \| 100V V(BR)DSS \| 120A I(D)
OMD150N06FL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| FULL BRIDGE \| 60V V(BR)DSS \| 150A I(D)
OMD200	ETC	获取价格	200V Quad N-Channel MOSFET in a M-12 package
OMD200V	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.11ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met
OMD240N10HL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 100V V(BR)DSS \| 240A I(D)
OMD300N06HL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 60V V(BR)DSS \| 300A I(D)
OMD32F60ML	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| M:ML111MW084
OMD38L60ML	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 76A I(C) \| M:ML111MW084
OMD400	ETC	获取价格	400V Quad N-Channel MOSFET in a M-12 package

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