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OM6353

更新时间: 2024-11-23 00:04:35
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
29页 1103K
描述
INTEGRATED CIRCUITS

OM6353 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
OM6353  
GSM Baseband MCP  
Preliminary Specification  
2001 Jul 02  
File under Integrated Circuits, IC17; OM6353  

与OM6353相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
OM6405SD ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | FP
OM6405SDT INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
OM6406SD ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | FP
OM6406SDT INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
OM6406SDV INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta
OM6407SD ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | FP
OM6407SDT INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.05ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me
OM6408SD ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | FP
OM6408SDT INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met
OM6408SDV INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met