生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.71 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 4.5 A |
最大漏源导通电阻: | 1.6 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-MDFM-F16 | 元件数量: | 4 |
端子数量: | 16 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
OM6413SP3 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) |
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OM6414SP3 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) |
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OM6415SP3 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 400V V(BR)DSS | 2.5A I(D) |
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OM6416SP3 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) |
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OM6417SP6 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | FULL BRIDGE | 50V V(BR)DSS | 5A I(D) |
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OM6418SP6 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | FULL BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) |
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