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OM6503SCV

更新时间： 2024-11-23 21:22:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	19K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-258AA, 3 PIN

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OM6503SCV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	500 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-258AA	JESD-30 代码：	R-MSFM-P3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称接通时间 (ton)：	300 ns	Base Number Matches：	1

OM6503SCV 数据手册

OM6503SC

OM6504SC

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

(IGBT) IN A HERMETIC TO-258AA PACKAGE

500 Volt, 20 And 30 Amp, N-Channel IGBT

In A Hermetic Metal Package

FEATURES

• Isolated Hermetic Metal Package

• High Input Impedance

• Low On-Voltage

• High Current Capability

• Fast Turn-Off

• Low Conductive Losses

• Available Screened to MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels

DESCRIPTION

The IGBT power transistor features a high impedance insulated gate and a low

on-resistance characteristic of bipolar transistors. These devices are ideally suited

for motor drives, UPS converters, power supplies and resonant power converters.

MAXIMUM RATINGS @ 25°C Unless Specified Otherwise

PART

I_C(Cont.)

@ 90°C, A

V_(BR)CES

V_{CE (sat)}(Typ.)

T_f(Typ.)

q_JC

P_D

NUMBER

°C/W

°C

OM6503SC

OM6504SC

500

2.8

400

1.75

1.00

150

125

3.1

SCHEMATIC

MECHANICAL OUTLINE

.270

Collector

.240

.695

.685

.165

.155

.045

.035

.835

.815

.707

.697

.550

.530

Gate

Pin 1: Collector

.092 MAX.

.005

Pin 2: Emitter

Pin 3: Gate

.750

.500

Emitter

.065

.055

.200 TYP.

.140 TYP.

PACKAGE OPTIONS

Note: IGBTs are also available in Z-Tab, dual and

quad pak styles. Please call the factory for

more information.

6 PIN SIP

MOD PAK

4 11 R2

Supersedes 2 07 R1

3.1 - 141

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
OM6504SC	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC
OM6505CSA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC
OM6505SA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC
OM6506CSA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC
OM6506SA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-254AA
OM6506SAT	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC
OM6507SA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 100V V(BR)CES \| 8A I(C) \| TO-254AA
OM6508CSA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC S
OM6508SA	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC S
OM6508SAT	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC S

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