5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM6405SDT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| OM6406SD | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | FP |
|
| OM6406SDT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| OM6406SDV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| OM6407SD | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | FP |
|
| OM6407SDT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.05ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| OM6408SD | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | FP |
|
| OM6408SDT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| OM6408SDV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| OM6413SP3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
