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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.14 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 520 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 55 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-254AA | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM60N05SW | ETC |
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50V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a D3 package |
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| OM60N06CSA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-254AA |
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| OM60N06SA | INFINEON |
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LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE |
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| OM60N06SW | ETC |
获取价格 |
60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a D3 package |
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| OM60N10NK | ETC |
获取价格 |
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package |
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| OM60N10NKT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| OM60N10S | ETC |
获取价格 |
LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE |
|
| OM60N10SC | ETC |
获取价格 |
LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE |
|
| OM6101SR | ETC |
获取价格 |
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a D2 package |
|
| OM6101ST | ETC |
获取价格 |
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package |
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