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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| JESD-609代码： | e0 | 安装特点： | SURFACE MOUNT |
| 端子数量： | 10 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码： | GWDIP10,.75 | 电源： | 12 V |
| 子类别： | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率： | 62 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | HYBRID |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM30G5E-R58 | OHMITE |
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RES 3 OHM 1W 5% AXIAL |
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| OM30N20C | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) |
|
| OM30SP1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| OM3105N | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM3105P | NXP |
获取价格 |
Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM3115N | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM3115P | NXP |
获取价格 |
Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
|
| OM320 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
|
| OM320 | PHILIPS |
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RF/Microwave Amplifier, Hybrid, |
|
| OM323A | ETC |
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RF Amplifier |
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