5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM3105N | NXP |
获取价格 |
Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
|
| OM3105P | NXP |
获取价格 |
Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
|
| OM3115N | NXP |
获取价格 |
Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
|
| OM3115P | NXP |
获取价格 |
Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
|
| OM320 | NXP |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
|
| OM320 | PHILIPS |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, Hybrid, |
|
| OM323A | ETC |
获取价格 |
RF Amplifier |
|
| OM3305E-R58 | OHMITE |
获取价格 |
RES 33 OHM 1W 5% AXIAL |
|
| OM3315 | OHMITE |
获取价格 |
Res,Axial,Carbon Film,330 Ohms,500WV,5% +/-Tol |
|
| OM3315EA26 | OHMITE |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
