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OM3105P

更新时间： 2024-11-17 22:28:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
8页	38K
描述
Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors

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OM3105P 技术参数

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

OM3105P

Hybrid integrated circuits for

inductive proximity detectors

January 1994

Preliminary speciﬁcation

File under Discrete Semiconductors, SC17

Philips Semiconductors

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
OM3115N	NXP	获取价格	Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors
OM3115P	NXP	获取价格	Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors
OM320	NXP	获取价格	RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
OM320	PHILIPS	获取价格	RF/Microwave Amplifier, Hybrid,
OM323A	ETC	获取价格	RF Amplifier
OM3305E-R58	OHMITE	获取价格	RES 33 OHM 1W 5% AXIAL
OM3315	OHMITE	获取价格	Res,Axial,Carbon Film,330 Ohms,500WV,5% +/-Tol
OM3315EA26	OHMITE	获取价格	暂无描述
OM3315ER52	OHMITE	获取价格	Fixed Resistor, Carbon Film, 1W, 330ohm, 500V, 5% +/-Tol, 450ppm/Cel, Through Hole Mount,
OM3315E-R58	OHMITE	获取价格	RES 330 OHM 1W 5% AXIAL