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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM30SP1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| OM3105N | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM3105P | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM3115N | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM3115P | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM320 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
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| OM320 | PHILIPS |
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RF/Microwave Amplifier, Hybrid, |
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| OM323A | ETC |
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RF Amplifier |
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| OM3305E-R58 | OHMITE |
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RES 33 OHM 1W 5% AXIAL |
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| OM3315 | OHMITE |
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Res,Axial,Carbon Film,330 Ohms,500WV,5% +/-Tol |
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