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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM2083/87 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
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| OM2083/87 | PHILIPS |
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RF/Microwave Amplifier, Hybrid, |
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| OM20G5E-R58 | OHMITE |
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RES 2 OHM 1W 5% AXIAL |
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| OM20P10CSA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSAT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSTV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| OM20P10SA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-254AA |
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| OM20P10SAM | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10SAT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10SAV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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