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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 特性阻抗： | 75 Ω |
| 构造： | MODULE | 最大工作频率： | 860 MHz |
| 最小工作频率： | 40 MHz | 射频/微波设备类型： | WIDE BAND HIGH POWER |
| 最大电压驻波比： | 1.4 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM20G5E-R58 | OHMITE |
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RES 2 OHM 1W 5% AXIAL |
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| OM20P10CSA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSAT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSTV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| OM20P10SA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-254AA |
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| OM20P10SAM | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10SAT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10SAV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10ST | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-257AA |
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| OM20P10STM | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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