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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| JESD-609代码： | e0 | 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT |
| 端子数量： | 12 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码： | SIP12,.1 | 电源： | 12 V |
| 子类别： | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率： | 155 mA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | HYBRID |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM20G5E-R58 | OHMITE |
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RES 2 OHM 1W 5% AXIAL |
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| OM20P10CSA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSAT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSTV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| OM20P10SA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-254AA |
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| OM20P10SAM | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10SAT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10SAV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10ST | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-257AA |
|
| OM20P10STM | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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