是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 7.60 X 15.20 MM, 3 MM HEIGHT, CERAMIC, FP-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.9 | Is Samacsys: | N |
JESD-30 代码: | R-CDSO-F8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 12.7 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | SOF | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.1 mm |
标称供电电压: | 5 V | 表面贴装: | YES |
电信集成电路类型: | ATM/SONET/SDH SUPPORT CIRCUIT | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
OD8454 | ETC | Optoelectronic |
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OD8456 | ETC | Optoelectronic |
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OD8457 | ETC | Optoelectronic |
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OD-850-002 | OPTODIODE | High-Power GaAlAs IR Emitters |
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OD-850-003 | OPTODIODE | High-Power GaAlAs IR Emitters |
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OD-850-004 | OPTODIODE | High-Power GaAlAs IR Emitters |
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