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NV25256MUW3VTBG

更新时间： 2024-11-06 01:20:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 104K
描述
256-Kb SPI Serial Automotive EEPROM

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NV25256MUW3VTBG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：UDFN-8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75其他特性：IT ALSO OPERATES AT FREQUENCY 5 MHZ AT 1.8 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE
最大时钟频率 (fCLK)：10 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e4长度：3 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行：SERIAL编程电压：5 V
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：0.55 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：2 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

NV25256MUW3VTBG 数据手册

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NV25256WF  
256-Kb SPI Serial  
Automotive EEPROM in  
Wettable Flank Package  
Description  
The NV25256 is a 256−Kb Serial CMOS EEPROM device  
internally organized as 32Kx8 bits. This features a 64−byte page write  
buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The  
device is enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the  
required bus signals are clock input (SCK), data input (SI) and data  
output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause any serial  
communication with the NV25256 device. The device features  
software and hardware write protection, including partial as well as  
full array protection.  
www.onsemi.com  
1
UDFN8  
(Wettable Flank)  
MUW3 SUFFIX  
CASE 517DH  
On−Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable  
for high reliability applications.  
PIN CONFIGURATIONS  
Features  
• Automotive Temperature Grade 1 (−40°C to +125°C)  
• 10 MHz (5 V) SPI Compatible  
V
CS  
SO  
1
CC  
HOLD  
SCK  
SI  
WP  
• 1.8 V to 5.5 V Supply Voltage Range  
• SPI Modes (0,0) & (1,1)  
V
SS  
UDFN8 (MUW3)  
• 64−byte Page Write Buffer  
(Top View)  
• Additional Identification Page with Permanent Write Protection  
• Self−timed Write Cycle  
PIN FUNCTION  
• Hardware and Software Protection  
Pin Name  
Function  
Chip Select  
• Block Write Protection  
CS  
SO  
WP  
− Protect 1/4, 1/2 or Entire EEPROM Array  
• Low Power CMOS Technology  
• 1,000,000 Program/Erase Cycles  
Serial Data Output  
Write Protect  
• 100 Year Data Retention  
V
SS  
Ground  
• 8−pad Wettable Flank UDFN 2x3 mm Package  
SI  
Serial Data Input  
Serial Clock  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS  
SCK  
Compliant  
HOLD  
Hold Transmission Input  
Power Supply  
V
CC  
V
CC  
SI  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 12 of this data sheet.  
CS  
SO  
NV25256WF  
WP  
HOLD  
SCK  
V
SS  
Figure 1. Functional Symbol  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
January, 2018 − Rev. 1  
NV25256/D  
1234567...12

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与NV25256MUW3VTBG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NV25256WF ONSEMI

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